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静电吸盘的维护保养方法
发布时间:2024-09-20 点击量:1024
静电吸盘在半导体制造等领域有着重要作用,其维护保养方法至关重要。以下是一些常见的静电吸盘维护保养方法:
首先,可以采用聚合物沉积工艺在静电吸盘表面形成保护层。如提供一工艺腔,包括位于工艺腔顶部的上电极和位于工艺腔底部的静电吸盘,上电极表面附着有第一聚合物。对静电吸盘进行聚合物沉积工艺,在其表面形成保护层后,在工艺腔内进行掺碳氮化硅的再生回收工艺,使掺碳氮化硅与第一聚合物发生反应,生成第二聚合物并附着在保护层表面,最后清洗工艺腔,去除保护层和第二聚合物,可有效提升静电吸盘使用寿命。
其次,对于晶圆用静电吸盘,可以在静电吸盘上覆盖一片含有氧化物膜层的控片,然后在不向静电吸盘供应直流电压和冷却气体的条件下,射频激发注入工艺腔中的清洁气体以生成等离子体,将静电吸盘上的金属沉积物转化为气态并排出工艺腔,该方法易于操作,清洁效率高、效果好。
再者,可采用静电吸盘清洁装置进行维护保养。例如,一种静电吸盘清洁装置包括第一喷气机构、第二喷气机构、第三喷气机构和抽吸机构。静电吸盘清洁方法包括重复进行至少一次气体清扫处理,具体步骤为:先控制第三喷气机构朝向第一喷气口的喷气路径喷气,时间为 15s - 30s;接着控制第一喷气机构持续喷气,在其持续喷气过程中,控制第二喷气机构间断喷气,每次喷气时间为 5s - 10s,相邻两次喷气间隔为 1s - 5s;最后控制第三喷气机构停止喷气,开启抽吸机构抽取气体。此外,在进行气体清扫处理之前,还可监测静电吸盘背面的工作气体流量,当监测到工作气体流量高于预设流量时,执行气体清扫处理。
另外,对于静电吸盘的清洗,还可以先提供一具有用于支撑静电吸盘边沿的支撑部及用于容纳凸部的容置空间的清洗装置,将静电吸盘凸部朝下放置其中,注入去离子水至少使吸脚完全浸没,浸泡一第一预定时间后取出,反复用无尘布擦拭和用去离子水冲洗凸部表面直至干净,最后吹干并放置在烘烤设备中进行一第二预定时间的烘烤。
总之,通过以上多种方法可以有效地对静电吸盘进行维护保养,延长其使用寿命,提高其工作效率和性能。
静电吸盘采用聚合物沉积工艺维护
静电吸盘作为半导体制造中的关键部件,其维护保养至关重要。采用聚合物沉积工艺进行维护是一种有效的方法。在工艺腔中,上电极表面附着有第一聚合物。通过对静电吸盘进行聚合物沉积工艺,可以在静电吸盘的表面形成一层保护层。这层保护层能够有效地防止静电吸盘在使用过程中受到磨损和腐蚀,从而延长静电吸盘的使用寿命。
在进行聚合物沉积工艺时,需要严格控制工艺参数,以确保保护层的质量。例如,要控制沉积温度、沉积时间、沉积气体流量等参数。同时,还需要选择合适的聚合物材料,以确保保护层具有良好的耐磨性、耐腐蚀性和绝缘性。
此外,在进行聚合物沉积工艺后,还需要对静电吸盘进行检测和评估,以确保保护层的质量符合要求。如果发现保护层存在缺陷或质量问题,需要及时进行修复或重新进行聚合物沉积工艺。
晶圆用静电吸盘覆盖控片清洁法
晶圆用静电吸盘在使用过程中会附着金属沉积物,这会影响静电吸盘的吸附性能和晶圆的刻蚀良率。为了解决这个问题,可以采用晶圆用静电吸盘覆盖控片清洁法。
这种清洁方法首先在静电吸盘上覆盖一片含有氧化物膜层的控片。然后,在不向静电吸盘供应直流电压和冷却气体的条件下,射频激发注入工艺腔中的清洁气体以生成等离子体。等离子体能够将静电吸盘上的金属沉积物转化为气态,最后将气态的金属沉积物排出工艺腔。
通过向静电吸盘放置一块含有氧化物膜层的控片,在等离子体轰击时,能够保护静电吸盘的上表面,避免该吸附表面损伤。同时,由于在清洁过程中不向静电吸盘供应直流电压和冷却气体,控片不会被静电吸盘吸附,等离子体不仅可以将静电吸盘侧壁的金属沉积物转化为气态,而且等离子体还可以进入控片和静电吸盘之间的缝隙,将静电吸盘上表面的边缘的金属沉积物转化为气态,最后跟随清洁气体排出工艺腔,清洁效率高、效果好,易于控制和操作。
在将控片覆盖于静电吸盘之前,还可以将工艺腔抽取真空,以提高清洁效果。射频激发清洁气体的时长一般为 20~30 秒。氧化物膜层可以覆盖控片朝向和 / 或远离静电吸盘一侧的表面。清洁气体可以包括六氟化硫和氯气中的至少一种。
静电吸盘清洁装置的使用方法
静电吸盘清洁装置在半导体制造过程中起着重要作用。其使用方法如下:
首先,静电吸盘清洁装置通常包括第一喷气机构、第二喷气机构、第三喷气机构和抽吸机构。第一喷气机构具有第一喷气口,第二喷气机构具有第二喷气口,第一喷气口和第二喷气口分设于静电吸盘的两侧上方,且第一喷气口的喷气方向和第二喷气口的喷气方向朝向静电吸盘的上表面。第三喷气机构具有第三喷气口,第三喷气口的喷气路径与第一喷气口的喷气路径相交。
在使用时,控制第三喷气机构朝向第一喷气口的喷气路径喷气。然后控制第一喷气机构持续喷气。在第一喷气机构持续喷气的过程中,控制第二喷气机构间断喷气。最后控制第三喷气机构停止喷气,开启抽吸机构,通过抽吸口抽取气体。
在控制第三喷气机构朝向第一喷气口的喷气路径喷气的步骤中,控制第三喷气机构喷气的时间为 15s - 30s。在控制第二喷气机构间断喷气的步骤中,控制第二喷气机构每次喷气的时间为 5s - 10s,相邻两次喷气的间隔为 1s - 5s。第一喷气机构的喷气流量与第三喷气机构的喷气流量之比为 (1:1。
在进行气体清扫处理之前,还包括判断步骤。监测静电吸盘背面的工作气体流量,当监测到工作气体流量高于预设流量时,执行气体清扫处理。当监测到工作气体流量高于预设流量时,根据此时工作气体流量的值确定静电吸盘表面的颗粒数量,再根据静电吸盘表面的颗粒数量控制第三喷气机构的喷气流量。
静电吸盘清洗装置的清洗流程
静电吸盘清洗装置的清洗流程较为复杂,以下为详细步骤:
首先,清除表层的灰尘和油垢。使用清洁布或者抹布清除表层的灰尘和油垢,可以采用吸尘器或者手工清洁。
接着,在静电吸盘表面喷洒清洁剂。在清洁吸盘表面之前,需要先将适量的清洁液喷洒在静电吸盘表面上,让其在表面停留 5 - 10 分钟,以有效清除污垢。
然后,使用清洁布或者抹布擦拭。等待清洁剂停留期间,最好使用专用的清洁布或者抹布擦拭静电吸盘表面,以确保清洁液能够将污垢彻底清除。
之后,用清水冲洗。擦洗过后,需要用流动的清水清洗干净。这一步骤可以帮助去除静电吸盘表面上残留的清洁液和污垢。
最后,晾干。需要将静电吸盘晾干,避免在存放时出现霉菌、污垢等问题。建议将清洁后的静电吸盘放在室内通风的地方晾干,以确保完全干燥。
静电吸盘在半导体制造中扮演着重要角色,其维护保养方法多样。采用聚合物沉积工艺维护可以形成保护层,延长静电吸盘使用寿命。晶圆用静电吸盘覆盖控片清洁法清洁效率高、效果好。静电吸盘清洁装置的使用方法和清洗流程各有特点,能够有效去除静电吸盘表面的颗粒和污垢,确保静电吸盘的正常使用,提高半导体制造的良率和质量。
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