碳化硅陶瓷(SiC)

碳化硅(SiC)是一种人造矿物，具有很强的共价键，其硬度超过氧化铝和氮化硅。特别是碳化硅陶瓷，具有极强的滑动耐磨性，即使在高温下也能保持强度，并具有优异的耐腐蚀性。

碳化硅陶瓷在常温下具有优异的机械性能，如高强度、高硬度、高弹性模量、优异的高温稳定性，以及高导热性、低热膨胀系数、良好的比刚度和光学加工性能，尤其适用于光刻机等集成电路设备精密陶瓷结构件的制备。例如，光刻机精密移动工件台、骨架、吸盘、水冷板、精密测量镜、光栅等陶瓷结构件，经过多年的技术研发，Fountyl新型材料解决了碳化硅结构件尺寸大、壁薄、空心等复杂结构精密加工制备的难题，突破了此类精密碳化硅结构件制备技术的技术瓶颈，极大地促进了集成电路制造设备关键结构件的国产化。

● 碳化硅陶瓷主要包括无压烧结碳化硅(SSiC)、反应烧结碳化硅(RBSC)、化学气相沉积碳化硅(CVD-SiC)。

● 碳化硅具有多种优异的性能：超硬、耐磨、高导热性和机械强度、低热膨胀系数、优异的热稳定性、低密度、高比刚度、无磁性。

● 目前，碳化硅陶瓷已应用于航空、航天、核工业等各个行业，例如高端设备的陶瓷部件，如碳化硅陶瓷反射器和集成电路制造，以及极端条件下的热交换器和防弹材料。

集成电路制造的关键技术和设备主要包括光刻技术及光刻设备、薄膜生长技术及设备、化学机械抛光技术及设备、高密度后封装技术及设备等，所有这些都涉及高效、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求。以光刻机中的工作台为例，工作台主要负责完成曝光运动，这就要求实现高速、大行程、六个自由度的纳米级超精密运动。

集成电路制造设备用精密陶瓷结构件的特点：

① 高度轻量化：为了降低运动惯性，降低电机负载，提高运动效率、定位精度和稳定性，结构件一般采用轻量化结构设计，轻量化率达 60-80%，最高可达 90%;

② 高形状位置精度：为了实现高精度的运动和定位，结构件需要具有极高的形状和位置精度，平面度、平行度和垂直度要求小于1μm，形状和位置精度要求小于5μm。

③ 高尺寸稳定性：为了实现高精度的运动和定位，结构件需要具有极高的尺寸稳定性，不会产生应变，并且具有高导热性、低热膨胀系数，不易产生较大的尺寸变形;

④ 清洁无污染。结构件需要具有极低的摩擦系数、运动过程中最小的动能损失，且无研磨颗粒污染。碳化硅材料具有极高的弹性模量、导热性和低热膨胀系数，不易产生弯曲应力变形和热应变，且抛光性能优异，可加工成镜面;因此，碳化硅作为集成电路关键设备(如光刻机)的精密结构材料具有显著优势。碳化硅还具有化学稳定性好、机械强度高、导热性高、热膨胀系数低等优点，可应用于高温、高压、腐蚀和辐射等极端环境。

碳化硅具有化学稳定性好、机械强度高、导热性好、热膨胀系数低等优点，可应用于高温、高压、腐蚀和辐射等极端环境。

集成电路的关键设备要求其元器件材料具备轻质、高强度、高导热性和低热膨胀系数等特性，且致密均匀、无缺陷。元器件还需具备极高的尺寸精度和尺寸稳定性，以确保设备的超精密运动和控制。碳化硅陶瓷具有高弹性模量和比刚度，不易变形，且导热性高、热膨胀系数低、热稳定性好，因此是一种优良的结构材料，目前已在集成电路制造的关键设备中得到广泛应用，例如采用碳化硅工作台、导轨、反射器、陶瓷卡盘和陶瓷末端执行器等的光刻机。

方泰新材料 能够满足集成电路制造关键设备——光刻机——的尺寸大、空心薄壁、结构复杂、精密碳化硅结构件的制备技术需求，例如：碳化硅真空吸盘、导轨、反射器、工作台以及一系列用于光刻机的精密碳化硅结构件。