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陶瓷-金属封接技术在半导体真空部件中的应用

  陶瓷是优秀的绝缘体和耐腐蚀材料,金属是导电和导热的主力。半导体设备里很多关键部件需要同时发挥两种材料的优势——比如真空腔体的电极引入端子,要求陶瓷部分绝缘、金属部分导电,两者之间还要做到真空级气密。

  把陶瓷和金属牢牢地封在一起,就是陶瓷-金属封接技术要解决的事。难点也很明确:陶瓷的热膨胀系数一般在3到8ppm/K,铜和铝在16到23ppm/K,差异两三倍。温度一变,界面上的热应力就可能把封接处拉裂。

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  目前主流的封接工艺有三种:活性钎焊、金属化法和压封法。

  活性钎焊是直接在陶瓷表面用活性钎料进行焊接。钎料里添加了钛、锆等活性元素,在高温下这些元素和陶瓷发生化学反应,形成一层过渡层,把陶瓷和金属"粘"在一起。

  活性钎焊的优点是工艺相对简单,封接强度高,适合氧化铝陶瓷与不锈钢、可伐合金的封接。缺点是使用温度受钎料熔点限制,一般不超过500度。

  问:活性钎焊的真空密封性能怎么样?

  答:活性钎焊接头的氦气泄漏率可以做到10的负9次方帕·立方米每秒以下,完全满足半导体设备的真空密封要求。前提是封接面的平面度控制在合理范围内,钎焊温度曲线精确控制。

  金属化法是先在陶瓷表面烧结一层金属层(通常用钼锰法),让陶瓷表面"变成"金属,然后再用常规钎料把这层金属化的陶瓷和金属件焊接在一起。金属化法的优势是封接温度更高,可以做到800度以上的使用温度,适合高温真空部件。

  压封法是利用金属的热膨胀系数大于陶瓷的特性,在高温下把金属件套在陶瓷件外面,冷却后金属收缩紧紧抱住陶瓷,形成机械密封。这种方法结构简单、成本低,但对尺寸配合精度要求很高,主要用在电气贯穿端子等标准件上。

  不管哪种封接方法,封接前的表面处理都至关重要。陶瓷封接面的粗糙度、清洁度和金属化层的厚度,直接决定封接质量和一致性。封接后的检测同样严格——氦质谱检漏是必须的,有时候还要做热循环测试,验证封接件在温度交变环境下的可靠性。

  陶瓷-金属封接件在半导体设备中的应用很广泛:真空腔体的电极引入端子、加热器电源引入端、冷却水接头、传感器引线密封——这些部件都需要在真空和高温环境下长期可靠工作。

  深圳方泰新材料技术有限公司具备活性钎焊和金属化法陶瓷-金属封接能力,可提供氧化铝陶瓷与不锈钢、可伐合金等多种金属材料的封接定制服务,封接件氦气泄漏率满足半导体设备真空密封标准。

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